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兼容Si-CMOS的纳米柱LED可让光子整合更准确

2017-5-31 10:01:44 点击:

       美国加 州大学伯克利分校(UC Berkeley)的研究 人员展示采用兼容Si-CMOS光学微影工艺的三五(III-V)族纳米柱设计,同时还 能控制这些纳米LED的精确生长位置——这是在CMOS电路中有效整合光子,从而实 现快速芯片上光互连的关键元素。

  研究人员在《ACS Photonics》期刊发表“以电信 波长在具有明亮电致发光的硅晶上实现超威型位置控制的InP纳米柱LED”(Ultracompact Position-Controlled InP Nanopillar LEDs on Silicon with Bright Electroluminescence at Telecommunication Wavelengths)一文中指出,控制生 长位置的良率高达90%,可在硅 晶上实现均匀的磷化铟(InP)纳米柱数组,在CMOS兼容的条件下生长:低温且无需催化剂。

位置可控制的InP纳米柱数组在460℃时生长的低倍数放大SEM图 所有影像中的比例尺分别对应至10μm以及1μm、4μm和40μm的生长周期(间距)

  研究人 员先从干净的硅晶圆(111)开始,在350℃下将140nm的二氧 化沉积至直径约320nm的纳米级孔径中,以1μm-40μm的间距 定位纳米柱成核位置。研究人 员以化学方式使硅晶表面变得粗糙后,再以450℃~460℃的温度在腔中生长InP纳米结构。研究人员发现,纳米柱 的锥角明显受到生长温度的影响,在450℃时产生纳米针,而在460℃下几乎 是垂直的柱状结构。

  研究人 员在这些纳米柱的基础上,透过同中心的核心-外壳(core-shell)生长,在pn二极管 的主动区内并入五个砷化镓铟(InGaAs)量子阱,形成电驱动的n-InP/InGaAs MQW/p-InP/p-InGaAs纳米LED。

纳米柱MQW LED组件示意图

  由于核心-外壳的生长模式,纳米柱 由其成核位置生长而出,并延展 至氧化物开口以外,达到约1μm的最终直径。因此,当纳米柱的n掺杂核心与n-Si基板直接接触时,p掺杂的 外壳在氧化物屏蔽上生长,消除了从p掺杂的外壳和n-Si基板的分流路径。20/200nm的Ti/Au透过倾 斜的电子束蒸发到高度p掺杂的InGaAs接触层,完成该 组件以形成电接触,其中纳 米柱的小部份区域外露,而且没有金属作为LED光输出的窗口。

  为纳米柱状LED进行表征,在1510nm以及约30%的量子效率下进行射。虽然纳米柱LED的占位空间小,但可输出4μW功率,研究人 员宣称这是从纳米柱/纳米结构LED所能实 现的最高光输出记录。在此建置下,由于收集效率仅5%,可用的光输出降至200nW。

  该研究 的另一个有趣之处是,该组件 能以电偏置产生光增益,并在反 向注入时表现出强光响应,使其有 助于实现芯片上的光子整合。


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